【简介】博士后招聘网整理分享“中国科学院半导体研究所骆军委研究组2022年6月招聘博士后”，浏览查询更多博士后招聘计划请访问博士后招聘网。

依托中国科学院半导体研究所的半导体超晶格国家重点实验室是我国唯一以半导体基础物理为主要研究领域的国家重点实验室。李树深院士和骆军委研究员团队聚焦在后摩尔时代半导体技术的前沿物理及器件研究，团队成员包括院士1名、杰青1名、优青1名、国家高层次人才计划入选者2名和多名中科院高层次人才计划入选者等，因科研发展需要现向海内外招聘多名博士后（特别研究助理）。

一、具体待遇如下：

1、年薪35-50万元（具体视研究经历）；

2、出站不以论文及基金为硬性条件，支持潜心科研；

3、按照国家规定足额缴纳相应社会保险和住房公积金；

4、博士后经聘用后，对符合申请条件的优秀全职在站博士后纳入“中科院特别研究助理“的管理，推荐其进行“博士后创新人才计划”和相关项目的申请。

5、享受全国博管会关于博士后的相关优惠政策，提供博士后公寓或住房补贴；

6、根据科研表现，通过实验室考核可获得留所编制。

二、岗位要求如下：

1、符合具体研究方向的博士学位；

2、具有扎实的专业知识和实验技能，在国际学术刊物上发表过论文；

3、具有较强的团队合作意识、责任心强；

4、协助推进重大项目研究进展，申请和承担相关领域科研项目。

三、研究方向如下：

1、硅基发光材料及器件方向

具有半导体物理学、材料学、微电子学相关专业背景，在半导体发光材料，特别是硅基光源等拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展研究内容为锗单晶材料掺杂发光和应变锗发光器件。

2、半导体掺杂与缺陷物理方向

具有凝聚态物理和半导体物理相关专业背景，在密度泛函理论第一性原理计算，半导体掺杂与缺陷物理等领域拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展方向包括：半导体缺陷与掺杂理论计算与设计；非平衡掺杂与缺陷理论，宽禁带半导体中缺陷与掺杂。

3、含时密度泛函和高通量计算方向

基于含时密度泛函理论研究半导体中的超快动力学过程，包括超快激光诱导的半导体材料相变，热载流子激发态动力学和光与物质相互作用等。以及半导体合金及异质结等逆向设计。

4、固态量子信息方向

具有量子信息或者理论物理相关专业背景，在量子控制、量子退相干、量子纠错和量子精密测量拥有相关研究基础者优先考虑。拟开展量子退相干、量子控制、量子纠错和量子精密测量器件物理研究。

5、TCAD软件与概率计算方向

TCAD方向要求具有半导体材料工艺器件模拟经验，编写过相关的仿真程序。概率计算方向要求有FPGA开发经验，会用SPICE仿真建模，或者有搭建光学平台和硅光子仿真的丰富经验。拟开展的方向为半导体TCAD软件开发和概率计算硬件开发。

四、应聘方式：

1、报名时间：本招聘长期有效，没有截止时间，随时可以申请入站，经考核答辩，入职体检等合格后方可办理入站手续；

2、应聘者需提交个人简历，以“应聘岗位+姓名+博士后招聘网”为主题发送至jwluo@semi.ac.cn(骆军委研究员)；

3、简历合格者将通知本人参加面试，并提供学历、学位证书复印件和相关证明材料；

4、通过面试者到指定医院进行体检，体检合格者将被录用。

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原文出处：

http://lab.semi.ac.cn/yanjiusheng/contents/1335/152214.html

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