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近日，中国科学院微电子研究所研究员陈大鹏团队联合江苏艾特曼电子科技有限公司，依托研究所8英寸 CMOS工艺平台，完成了高精度三轴加速度计产品工艺的开发与验证，经客户测试，器件性能良好，符合设计预期。

针对产业界对MEMS代工的迫切需求，微电子所科研人员以高精度三轴加速度计开发为牵引展开攻关，致力于在现有8英寸硅工艺线上实现与CMOS工艺兼容的通用MEMS加工平台技术，成功开发出大深宽比MEMS结构刻蚀、MEMS与ASIC晶圆堆叠、TSV电学连接及晶圆级盖帽键合封装等关键工艺技术的量产，最终实现了TSV的ASIC晶圆、MEMS结构晶圆及盖帽晶圆的三层键合工艺，并顺利交付首款三轴加速度计产品。

目前，微电子所在现有8英寸硅工艺线基础上，形成了适用于多种MEMS传感器件（高精度两轴、三轴加速度计、高度计、压力、红外热敏等）加工的Post CMOS-MEMS标准工艺，并实现了该工艺技术平台化的开发，可为MEMS设计单位提供产品工艺研发与批量加工服务。

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