一、招聘条件

01具有良好的政治素质和道德品质，有志于投身集成电路存储芯片产业；

02博士毕业3年以内，品学兼优、身体健康，能够全职从事博士后研究工作；

03专业背景、研究方向与工作站科研方向高度匹配；

04具有优秀的科研创新能力和前瞻性的国际化视野，创新思维活跃，勇于探索前沿技术领域，具备解决复杂科研创新问题的潜力；

05已发表过高水平学术论文，有主持/参与科研项目经验等。

二、研究方向

长江存储已经与北京大学、武汉大学、华中科技大学、东南大学、武汉理工大学、宁波东方理工大学等高校建立战略合作关系。长江存储博士后科研工作站采用校企双导师联合培养模式，拟围绕三维闪存、新型存储器、存算融合的先进存储技术、高性能存储器等核心方向，开展存储芯片架构及先进工艺开发、存储器件原理探究及优化、新型存储器件及相关技术研究、存储芯片电路及产品系统端设计、新型存储架构和算法协同创新等，构建面向新质生产力与算力革命所需的存储技术多维协同布局。

诚邀海内外优秀博士加入

研究方向	意向专业
前沿人工智能技术	计算机科学、人工智能、软件工程、数学等
自律型纳米蚀刻	等离子体科学与技术、半导体工艺集成、物理电子学、微电子学与固体电子学、控制科学与工程、电磁场与微波技术等
AI+DTCO（设计与工艺协同优化）	计算机科学、微电子、电子工程、人工智能、应用数学等
人工智能加速材料研发	物理、材料、化学、微电子等
三维堆叠器件源漏接触工艺	凝聚态物理、半导体物理、微电子或材料科学等
异构集成芯片系统热管理	微电子学与固体电子学、电子科学与技术、材料科学与工程、机械工程（微纳制造方向）或物理学等
先进存储芯片SPICE模型建立及仿真优化	微电子、集成电路、半导体物理等
先进芯片工艺ESD器件技术开发	微电子、集成电路工程、半导体物理等
先进存储芯片老化模型及DFR开发	微电子、半导体物理、可靠性工程等
高性能闪存芯片体系结构研究	计算机、微电子、电子信息、半导体物理等
存算融合的先进存储技术研究	微电子、计算机、电子信息、半导体物理等
智能检测与良率管理	集成电路、计算机视觉、机器学习、计算机科学、自动化、工业工程、人工智能等

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三、应聘流程

应聘环节	第一批	第二批
简历投递与筛选	2026年11月30日前	2027年2月28日前
初步面试与集体面试	2026年12月31日前	2027年3月31日前
博士后进站申请材料准备	2027年1月31日前	2027年5月15日前
博士后网上办公系统审批	2027年2月28日前	2027年6月15日前
录用及进站报到	2027年3月初	2027年7月初

【温馨提示】在线填写简历时，除标*号必填项外，请务必填写以下信息：

论文/专著：须含近5年代表性成果（3项及以内）；

证书：须含本科、硕士（如有）、博士各阶段毕业证书和学位证书，国（境）外学历学位认证书（留学人员上传）；

项目经历：须填写科研项目经历。

1.招聘咨询

【联系人】张老师

【联系邮箱】rachel_zhang@ymtc.com

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原文出处：

https://mp.weixin.qq.com/s/Hdue_Z_I-4waHShmt22Vfw

邮件申请时请标题注明信息来自博士后招聘网-boshihoujob.com，电话咨询时说明从博士后招聘网(www.boshihoujob.com)看到的博士后招聘信息。

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